[发明专利]光刻胶层的处理方法及光刻胶层在审
| 申请号： | 202111516517.2 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116263566A | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 曹堪宇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 鲁盛楠 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种光刻胶层的处理方法及光刻胶层，处理方法包括：在目标层上形成光刻胶层，光刻胶层包括远离目标层的第一部分和靠近目标层的第二部分；采用第一工艺对光刻胶层进行处理，以使第一部分的光吸收率小于第二部分的光吸收率；对光刻胶层进行第一曝光处理，在第二部分形成曝光图像；剥离第一部分并对光刻胶层进行第一显影处理，以图案化第二部分为光刻胶图案。在本公开中，在第二部分中形成曝光图像后去除第一部分，避免第一部分的存在导致光刻胶图案的顶端形貌不符合预期的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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