[发明专利]一种基于单层二维-三维-二维渐变结构钙钛矿薄膜的太阳电池在审
申请号: | 202111514006.7 | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114300620A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 李美成;黄浩;闫路遥;瞿树杰;王欣欣;杜淑贤;崔鹏;纪军;刘本玉;刘家梁;赵志国 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学;华能集团技术创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
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地址: | 102206*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明提出了一种基于单层二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜的太阳电池,所述太阳电池结构自下而上依次为:玻璃基底、FTO透明电极、电子传输层、二氧化钛介孔层、二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜、空穴传输层、金属电极。本发明通过胺基大分子掺入钙钛矿薄膜两层边缘,形成二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜,二维‑三维‑二维渐变结构的形成能够有效地加强钙钛矿与电子传输层的连接,钝化电池界面缺陷,隔绝空气中的水氧,提高电池水氧环境下的工作稳定性,从而实现高效稳定钙钛矿太阳电池的制备,有利于钙钛矿太阳电池的商业化应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 单层 二维 三维 渐变 结构 钙钛矿 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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