[发明专利]一种基于单层二维-三维-二维渐变结构钙钛矿薄膜的太阳电池在审

专利信息
申请号: 202111514006.7 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN114300620A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 李美成;黄浩;闫路遥;瞿树杰;王欣欣;杜淑贤;崔鹏;纪军;刘本玉;刘家梁;赵志国 申请(专利权)人: 华北电力大学;华能集团技术创新中心有限公司
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明提出了一种基于单层二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜的太阳电池,所述太阳电池结构自下而上依次为:玻璃基底、FTO透明电极、电子传输层、二氧化钛介孔层、二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜、空穴传输层、金属电极。本发明通过胺基大分子掺入钙钛矿薄膜两层边缘,形成二维‑三维‑二维渐变结构钙钛矿薄膜,二维‑三维‑二维渐变结构的形成能够有效地加强钙钛矿与电子传输层的连接,钝化电池界面缺陷,隔绝空气中的水氧,提高电池水氧环境下的工作稳定性,从而实现高效稳定钙钛矿太阳电池的制备,有利于钙钛矿太阳电池的商业化应用。
搜索关键词: 一种 基于 单层 二维 三维 渐变 结构 钙钛矿 薄膜 太阳电池
【主权项】:
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