[发明专利]一种硅部件气孔的加工方法在审
| 申请号： | 202111511202.9 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114211630A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王楠;张海波;谢岩;高哲;宋洋 | 申请（专利权）人： | 锦州神工半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/02 | 分类号： | B28D5/02;B28D7/02;B28D7/00 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 薛晓萌 |
| 地址： | 121000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅部件加工技术领域，尤其涉及一种硅部件气孔的加工方法。由于在加工气孔时钻头包括初始钻削、第一过渡钻削、加工钻削、第二过渡钻削以及终端钻削阶段，且在气孔加工的过程中，钻头在初始钻削时的进给速度小于第一过渡钻削时的进给速度、钻头在第一过渡钻削时的进给速度小于加工钻削时的进给速度、钻头在加工钻削时的进给速度大于第二过渡钻削时的进给速度、钻头在第二过渡钻削时的进给速度大于终端钻削时的进给速度，由此降低了气孔内部的机械损伤厚度改善气孔边缘的精度进而提高了硅部件上气孔的加工精度同时提高用于加工气孔的刀具的使用寿命，降低了硅部件气孔的加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 部件 气孔 加工 方法 | ||
【主权项】：
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