[发明专利]一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC-IGBT结构在审
| 申请号： | 202111504527.4 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114203802A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;李岩松;陈勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低集成二极管反向恢复损耗的RC‑IGBT结构，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，对二极管与IGBT部分的P+发射极区域进行分立设计。在IGBT部分，保留常规的P+发射区结构，以确保RC‑IGBT工作在IGBT模式时性能不会受损；而在二极管部分，将P+发射区的长度缩短，置于假栅两侧并确保与发射极金属电极接触，被缩短的P+发射区会降低集成二极管阳极载流子的注入效率，减少N漂移区在二极管导通中所存储的载流子数量，最终达到在不损坏IGBT性能的前提下，降低集成二极管反向恢复电流峰值以及反向恢复损耗的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 集成 二极管 反向 恢复 损耗 rc igbt 结构 | ||
【主权项】：
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