[发明专利]一种抑制奥氏体合金粗大晶界碳化物析出的热处理方法有效
| 申请号： | 202111504319.4 | 申请日： | 2021-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114875346B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王旻;赵霞;张龙;李昊泽;高明;马颖澈;刘奎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22F1/10 | 分类号： | C22F1/10;C22C19/05 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种抑制奥氏体合金粗大晶界碳化物析出的热处理方法，属于奥氏体合金制造技术领域。本发明通过近完全固溶处理，溶解大部分初始粗大碳化物，减小碳化物尺寸，同时保留大量微小未溶碳化物核心，为冷却析出碳化物提供形核质点，促进碳化物分散形核，抑制粗大碳化物形成。同时利用控温慢冷条件调控晶界上溶质元素的浓度分配，提高碳化物界面稳定性，保持碳化物颗粒状或棒状的良好析出形态。本发明的目的在于优化大尺寸合金锭中的晶界碳化物析出形态。该方法能够避免M |
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| 搜索关键词： | 一种 抑制 奥氏体 合金 粗大 碳化物 析出 热处理 方法 | ||
【主权项】：
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