[发明专利]一种可被近红外光激发的h-BN光电转换器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件及其制备方法，属于宽禁带半导体的近红外光激发技术领域，由上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd与h‑BN@电极进行附着结合得到；当近红外光源照射光电转换器件时，表面的上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd经由内部7光子上转换发光可产生波长为205nm和195.3nm的紫外荧光，为h‑BN的光激发提供能量，从而实现h‑BN的近红外光激发。由于h‑BN材料为宽禁带半导体，实现其光激发所需的光源为波长小于210nm的深紫外光，故由h‑BN材料制成的光电转换器件多用于深紫外光的探测。本发明提出的可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件在丰富了以h‑BN为原材料的光电转换器件可探测光源的波长范围的同时，还解决了使用h‑BN作为光触媒应用于光催化领域的关键技术难点。