[发明专利]N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111502666.3 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114156093B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李明;贾文汉 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01G11/34 | 分类号： | H01G11/34;H01G11/86;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/44 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 崔瑞迎 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及超级电容器电极材料技术领域，具体涉及N/O共掺杂的硫化钼@多孔碳复合电极材料及其制备方法和应用。本发明采用了氮氧原子共掺杂以及与硫化钼进行复合，氮原子提供了更多的电子活性位点，改善了多孔碳的电子传输速度，氧原子通过氧化/还原来提高电极的假电容，多孔碳提供了大比表面积的交联孔洞结构，二硫化钼附着在多孔碳上提高了自身与多孔碳的协同作用，继而进一步提高了导电能力，通过将多孔碳与杂原子进行掺杂改性，与过度金属硫化物进行复合，使其发挥出多孔碳自身高效的循环稳定性和自身庞大的功率密度的优势；且采用本发明制得的材料环保绿色，简单易得，操作简单有效。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 硫化 多孔 复合 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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