[发明专利]一种高产量氮化铝单晶的液相生长结构及生长方法有效
| 申请号： | 202111495981.8 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114150374B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 杨丽雯;程章勇;张云伟;何丽娟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B19/06 | 分类号： | C30B19/06;C30B19/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高产量氮化铝单晶的液相生长结构及生长方法，包括碳化钽坩埚、通气管、石墨棒以及碳化钽墨盖；碳化钽坩埚上宽下窄的圆台结构，圆台结构底面放置有Al面朝上的氮化铝籽晶，通过特殊粘接工艺粘接在了该圆台上；石墨棒的底部粘结有氮化铝籽晶；碳化钽盖加盖在碳化钽坩埚的顶部，通气管穿过碳化钽盖伸入碳化钽坩埚内，石墨棒固定在炉腔的上提拉结构上并伸入碳化钽坩埚内。本发明中使用顶部籽晶加底部籽晶双籽晶的方法，本发明3段独立加热器，将高温位置放在坩埚中段，使得料源分别在顶部和底部籽晶上开始结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产量 氮化 铝单晶 相生 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
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