[发明专利]一种NPN功率SiGe双极晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202111492685.2 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114188400A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 樊庆扬;刘恒;卫铭斐;李屹爽;高恒 | 申请（专利权）人： | 西安建筑科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 侯琼;王品华 |
| 地址： | 710055 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种NPN功率SiGe双极晶体管及其制作方法，主要解决传统双极晶体管击穿电压不高、耐压值低且制作工艺复杂的问题。方案为：双极晶体管器件自下而上包括衬底(1)、漂移区(2)、圆筒状外延层(3)，圆筒内漂移区上为重掺杂集电区(4)、孔径层(5)和电流阻挡层(6)、基极接触区(7)、基区(8)以及发射区(9)；首先在N |
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| 搜索关键词： | 一种 npn 功率 sige 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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