[发明专利]一种二维材料场效应晶体管失效样品的制备方法在审
| 申请号： | 202111486151.9 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114152857A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴幸;盛智伟;董作院;叶长青 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二维材料场效应晶体管失效样品的制备方法，属于晶体管失效领域，包括：(1)在二维材料场效应晶体管的电极上施加正压，采用I‑V sweep模式测量得到电流突变(0.5～1.5)倍时的电压P1；所述二维材料场效应晶体管包括电极、栅介质层、沟道和衬底；(2)对所述步骤(1)的二维材料场效应晶体管进行恒压击穿，得到击穿后样品；所述恒压击穿的电压为P1－(0.6～0.8)V。本发明控制击穿时的电压，模拟并加速二维材料场效应晶体管击穿的过程，控制了击穿的程度避免二维材料场效应晶体管中的二维材料被完全烧毁，与实际失效样品更接近，通过观察击穿后样品的形貌更有利于晶体管失效过程及机理的研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 场效应 晶体管 失效 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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