[发明专利]一种二维材料场效应晶体管失效样品的制备方法在审
| 申请号： | 202111486151.9 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114152857A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴幸;盛智伟;董作院;叶长青 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 场效应 晶体管 失效 样品 制备 方法 | ||
1.一种二维材料场效应晶体管失效样品的制备方法，包括以下步骤：
(1)在二维材料场效应晶体管的电极上施加正压，采用I-V sweep模式测量得到电流突变(0.5～1.5)倍时的电压P1；所述二维材料场效应晶体管包括电极、栅介质层、沟道和衬底；
(2)对所述步骤(1)的二维材料场效应晶体管进行恒压击穿，得到击穿后样品；所述恒压击穿的电压为P1－(0.6～0.8)V。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维材料场效应晶体管中沟道的材料包括石墨烯或过渡金属硫化物。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的I-V sweep模式的电压变化从0V开始。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的I-V sweep模式每秒增长步长为(1～2)V。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的I-V sweep模式每秒增长步长为1.5V。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的I-V sweep模式限流为(0.05～0.2)mA。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的I-V sweep模式限流为0.1mA。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的恒压击穿的限流为(0.5～1.5)mA。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中恒压击穿时对电流进行测量，电流值突然增长后，停止施压。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中突然增长的涨幅为30～100％。
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