[发明专利]一种岛膜结构硅压阻传感器装置在审
| 申请号： | 202111479343.7 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114295262A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王自刚;曹卫达;邹治弢;闫洁;周宇飞 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06;G01L9/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种岛膜结构硅压阻传感器装置，包括衬底（1），在衬底（1）上设有压力敏感层（2），在衬底（1）上设有第一槽体（3），在压力敏感层（2）底部设有与第一槽体（3）连通的第二槽体（4），在第二槽体（4）内设有岛状结构（5），在压力敏感层（2）上设有氧化层（6），在压力敏感层（2）设有一组向上穿透氧化层（6）的盲孔（7），在盲孔（7）内设有压敏电阻（8），在氧化层（6）均布有一组焊盘（10），在氧化层（6）上设有连通焊盘（10）和压敏电阻（8）引线（9）。本发明基于小尺寸敏感层和E型岛膜结构结合，很好的兼顾芯片高灵敏度和线性度性能，实现传感器对敏感芯片小尺寸、高灵敏度,高精度、高可靠的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 膜结构 硅压阻 传感器 装置 | ||
【主权项】：
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