[发明专利]一种模式控制半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202111472150.9 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN113872049B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 谭少阳;王俊;刘停停;李泉灵;廖新胜;闵大勇 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静玉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种模式控制半导体器件及其制备方法，模式控制半导体器件具有相对设置的前腔面和后腔面，模式控制半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；第一限制层和第二限制层，位于半导体衬底层上且分别位于有源层的两侧；位于第一限制层和有源层之间的第一波导层；位于第二限制层和有源层之间的第二波导层，第二波导层的厚度小于或等于第一波导层的厚度；第一调光层，第一调光层位于与前腔面邻接的部分第二限制层中，第一调光层的折射率小于第二限制层的折射率，第一调光层的宽度在自后腔面至前腔面的方向上递增。所述模式控制半导体器件提升前腔面抗光学灾变损伤阈值功率的同时降低耦合损耗、生产工艺复杂度和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模式 控制 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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