[发明专利]槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111463405.5 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114171579A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满 | 申请（专利权）人： | 无锡先瞳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙) 44438 | 代理人： | 陈惠珠;苏维勤 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请是关于一种槽型源极的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、N型源区、屏蔽栅、控制栅、绝缘层、槽型源极、漏极以及金属栅极；漂移区与衬底区相接，基体区和N型源区依次设置在漂移区上方；控制栅和屏蔽栅由上至下依次设置在漂移区的侧方，并通过绝缘层分别与漂移区、基体区和N型源区相接；槽型源极包括水平源极部和竖直源极部，竖直源极部相接在水平源极部的一端，形成纵截面呈L型的源极；水平源极部设置在N型源区上方，竖直源极部与N型源区和基体区的侧面均相接，使得N型源区的拐角与槽型源极的拐角相贴合；漏极设置在衬底区下方；金属栅极设在控制栅上方。本申请提供的方案，能够提高器件的雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 槽型源极 屏蔽 沟槽 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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