[发明专利]一种双模高可靠性硅基滤波器及其制作方法有效
| 申请号： | 202111454088.0 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114142193B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 万晶;梁晓新 | 申请（专利权）人： | 昆山鸿永微波科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P11/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 孙茂义 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市昆山市玉山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双模高可靠性硅基滤波器及其制作方法，包括：硅腔谐振单元、微扰硅坑、输入馈线槽和输出馈线槽，所述硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层，所述微扰硅坑设置在高阻硅介质层上并位于一角，所述输入馈线槽和输出馈线槽设置在第一金属层上并分别位于与微扰硅坑位置相对的另一角的两侧。通过上述方式，本发明所述的双模高可靠性硅基滤波器及其制作方法，通过在高阻硅介质层特定位置上刻蚀微扰硅坑，可以将硅腔谐振单元的单个谐振频点微扰产生两个谐振频点，从而实现展宽滤波器带宽的目的，有利于减小电路的面积以及集成电路的集成，损耗小，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双模 可靠性 滤波器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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