[发明专利]一种AMR磁阻结构有效
| 申请号： | 202111449291.9 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114236436B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 朱剑宇;杨世霞 | 申请（专利权）人： | 上海麦歌恩微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海大邦律师事务所 31252 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种AMR磁阻结构，所述AMR磁阻结构包括：第一路惠斯通电桥和第二路惠斯通电桥；所述第一路惠斯通电桥包括第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻依次连接，所述第四磁阻连接第一磁阻；所述第二路惠斯通电桥包括第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻；所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻依次连接，所述第八磁阻连接第五磁阻。本发明提出的AMR磁阻结构，可用于平面内任意磁场的角度计算，可用于平面内任意角度磁场强度的计算，同时可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 amr 磁阻 结构 | ||
【主权项】：
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