[发明专利]一种AMR磁阻结构

说明书

本发明揭示了一种AMR磁阻结构，所述AMR磁阻结构包括：第一路惠斯通电桥和第二路惠斯通电桥；所述第一路惠斯通电桥包括第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻依次连接，所述第四磁阻连接第一磁阻；所述第二路惠斯通电桥包括第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻；所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻依次连接，所述第八磁阻连接第五磁阻。本发明提出的AMR磁阻结构，可用于平面内任意磁场的角度计算，可用于平面内任意角度磁场强度的计算，同时可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，涉及一种磁阻结构，尤其涉及一种AMR磁阻结构。

背景技术

各向异性磁阻元件(AnisotropicMagneto-Resistive,简称AMR)是用于检测磁场的重要磁性传感器元件。它被广泛应用在汽车，工业控制，家电，通讯设备中，用于检测速度、角度、位置等信息。与传统的霍尔效应元件相比，AMR具有功耗低、灵敏度高等优良特性。但是AMR结构上的失配会导致输出信号的失配，严重影响输出信号的绝对精度，限制了AMR传感器的应用。

图1显示了两组分别由4个AMR元件组成的惠斯通(Wheatstonebridge)电桥。它的工作原理是在加载了一定的电压VDD后，它的差分电压输出VCOS＝(COS+)-(COS-),VSIN＝(SIN+)-(SIN-)会随外加磁场的方向而变化；通过检测VCOSVSIN的大小，可以判断出外界磁场的方向。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的AMR磁阻结构，以便克服现有AMR磁阻结构存在的上述至少部分缺陷。

发明内容

本发明提供一种AMR磁阻结构，可用于平面内任意磁场的角度计算，可用于平面内任意角度磁场强度的计算，同时可减小磁阻条之间的失配，减小磁阻传感器的offset。

为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，采用如下技术方案：

一种AMR磁阻结构，所述AMR磁阻结构包括：第一路惠斯通电桥和第二路惠斯通电桥；

所述第一路惠斯通电桥包括第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻；所述第一磁阻、第二磁阻、第三磁阻、第四磁阻依次连接，所述第四磁阻连接第一磁阻；

所述第一磁阻包括沿第二方向依次设置的若干第一磁阻条组，各第一磁阻条组包括若干第一磁阻条；各第一磁阻条的走向为沿第一方向，所述第一方向与第二方向垂直；各第一磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第二方向依次变小；

所述第二磁阻包括沿第一方向依次设置的若干第二磁阻条组，各第二磁阻条组包括若干第二磁阻条；各第二磁阻条的走向为沿第二方向；各第二磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第一方向依次变大；

所述第三磁阻包括沿第二方向依次设置的若干第三磁阻条组，各第三磁阻条组包括若干第三磁阻条；各第三磁阻条的走向为沿第一方向；各第三磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第二方向依次变大；

所述第四磁阻包括沿第一方向依次设置的若干第四磁阻条组，各第四磁阻条组包括若干第四磁阻条；各第四磁阻条的走向为沿第二方向；各第四磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第一方向依次变小；

所述第二路惠斯通电桥包括第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻；所述第五磁阻、第六磁阻、第七磁阻、第八磁阻依次连接，所述第八磁阻连接第五磁阻；

所述第五磁阻包括沿第四方向依次设置的若干第五磁阻条组，各第五磁阻条组包括若干第五磁阻条；各第五磁阻条的走向为沿第三方向，所述第三方向与第四方向垂直；各第五磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第四方向依次变小；

所述第六磁阻包括沿第三方向依次设置的若干第六磁阻条组，各第六磁阻条组包括若干第六磁阻条；各第六磁阻条的走向为沿第四方向；各第六磁阻条组中的平均磁阻条长度沿第三方向依次变大；