[发明专利]一种促进霍山米斛生根的培养基及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111433102.9 申请日: 2021-11-29
公开(公告)号: CN114375799A 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 闻智磊;陈野牧 申请(专利权)人: 安徽智野生物科技发展有限公司
主分类号: A01G24/15 分类号: A01G24/15;A01G24/28;A01G24/30;A01N37/10;A01N37/18;A01P21/00
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡阔雷
地址: 230000 安徽省合肥市包*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种促进霍山米斛生根的培养基的制备方法,包括以下步骤:步骤一、配制生根剂:通过向1,8‑萘二甲酸酐的甲苯溶液中滴加N,N‑二甲基‑1,3‑丙二胺,回流反应,得到萘酐酰胺类主促进剂,然后向萘酐酰胺类主促进剂中添加以1‑萘乙酸为原料的副促进剂,混匀,得到培养基生根剂;步骤二、配制生根基质:将蛭石、珍珠岩和泥炭,混合均匀,灭菌,冷却至室温,制备得到生根基质;步骤三、将生根剂与生根基质按照重量比在无菌条件下混匀,加入到琼脂中,得到培养基;本发明在萘酐酰胺类主促进剂和1‑萘乙酸副促进剂的配合下,对霍山米斛的根系具有很好的促进作用。
搜索关键词: 一种 促进 霍山 生根 培养基 及其 制备 方法
【主权项】:
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