[发明专利]一种智能可控温的GaN功率循环实验装置在审
| 申请号： | 202111426713.0 | 申请日： | 2021-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114152863A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 代岩伟;王剑锋;昝智;秦飞 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种智能可控温的GaN功率循环实验装置，该装置的主要功能是准确预测GaN芯片的使用寿命及其失效模式，并缩短实验时间，加快实验进程。通过箱体门上菜单键设置程序控制该装置加热冷却所需时间及循环次数，通过环境加热器为该装置内部提供恒定的环境温度，从而保证芯片功率测试在恒温环境下进行，通过芯片加热器来模拟GaN芯片工作时自身所产生的热量，通过冷却水箱来加速模拟GaN芯片冷却过程，从而完成一次功率循环，如此反复，实现芯片的功率循环测试，通过箱体门上显示屏观察装置内环境温度及芯片实时温度，通过箱体门上玻璃观察整个测试过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 智能 可控 gan 功率 循环 实验 装置 | ||
【主权项】：
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