[发明专利]一种通过硫酸根阴离子修饰来改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法及应用有效
| 申请号： | 202111409308.8 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114134549B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 沈文忠;王杨润乾;高超;刘洪 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D3/36;C25D9/04;H10K30/50;H10K85/50 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过硫酸根阴离子修饰来改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，涉及钙钛矿太阳电池领域、电化学领域，所述方法包括：在ITO玻璃上沉积硫酸根阴离子修饰的金属铅层；将ITO玻璃上含有的所述硫酸根阴离子修饰的金属铅层转化为所述硫酸根阴离子修饰的钙钛矿薄膜。通过本发明的实施，可以有效地改进电化学合成钙钛矿薄膜的方法，从而得到更高光电转换效率的钙钛矿太阳电池；同时还可以突破平整基底的限制，在表面制绒的异质结太阳电池上实现钙钛矿薄膜的均匀保型生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 硫酸 阴离子 修饰 改进 电化学 合成 钙钛矿 薄膜 方法 应用 | ||
【主权项】：
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