[发明专利]一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法在审
| 申请号： | 202111409074.7 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114256064A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王强;刘哲郡;黄然;徐莹 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善回刻光刻胶工艺窗口的方法，提供衬底，在衬底表面形成有源区，在有源区形成多个第一结构体、多个第二结构体和薄膜层，其中第一结构体高于第二结构体，第一结构体具有上层结构与下层结构；在衬底上形成覆盖多个第一结构体、多个第二结构体和薄膜层且具有第一厚度的碳填充材料层；进行第一刻蚀去除碳填充材料层，使得第一结构顶端表面剩余厚度为第二厚度；进行第二刻蚀使得上层结构被刻蚀，下层结构裸露，其中具有第二厚度的碳填充材料层使得薄膜层不被刻蚀，本发明能够同时实现硅化镍保护和无缺陷，形成工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 光刻 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111409074.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
