[发明专利]一种薄膜铌酸锂双平行电光调制器集成芯片在审
| 申请号： | 202111387456.4 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114019703A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张彤;秦妍妍;陈泽贤;张晓阳 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 孙建朋 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜铌酸锂双平行电光调制器集成芯片，自下而上包括衬底层、掩埋氧化层、电光调制器件层和上包层；电光调制器件层由左至右依次包括输入光波导、输入分光耦合器、两个并列的马赫增德尔电光强度调制器、电极复合输出合路耦合器和输出光波导，其中两个并列的马赫增德尔调制器包括输入分光耦合器、深刻蚀区、矩形地电极、T形地电极、矩形信号电极、T形信号电极、T形地电极、共用的矩形地电极、夹在电极间的传输光波导和输出合路耦合器。通过引入双平行电光调制结构和T型电极结构，可以更灵活地调制光信号，提升微波光波匹配效果并降低器件的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 铌酸锂双 平行 电光 调制器 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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