[发明专利]一种1MeV以上单能中子注量率的测量方法在审
| 申请号： | 202111368175.4 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114185078A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李立华;李玮;段君仪;夏莉;刘蕴韬 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈煌辉;张颖玲 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种1MeV以上单能中子注量率的测量方法，涉及中子测量领域，使测量结果更加准确同时减少了测量中子注量率的时间。该1MeV以上单能中子注量率的测量方法包括如下步骤，预设中子源和裂变电离室的距离，计算裂变电离室对单能中子源的响应参数；实验获得裂变碎片脉冲幅度谱，根据阈上裂变碎片计数率、阈下裂变碎片计数修正因子、U靶自吸收修正因子、裂变电离室对单能中子源的响应参数获得单能中子源强；根据获得的单能中子源强及相应的中子角分布获得待校准中子测量设备预放置位置处中子注量率约定真值。本申请的1MeV以上单能中子注量率的测量方法用于测量中子注量率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mev 以上 中子 注量率 测量方法 | ||
【主权项】：
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