[发明专利]一种1MeV以上单能中子注量率的测量方法在审

专利信息
申请号: 202111368175.4 申请日: 2021-11-18
公开(公告)号: CN114185078A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 李立华;李玮;段君仪;夏莉;刘蕴韬 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: G01T3/00 分类号: G01T3/00
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 陈煌辉;张颖玲
地址: 102413 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 mev 以上 中子 注量率 测量方法
【说明书】:

本申请实施例公开了一种1MeV以上单能中子注量率的测量方法,涉及中子测量领域,使测量结果更加准确同时减少了测量中子注量率的时间。该1MeV以上单能中子注量率的测量方法包括如下步骤,预设中子源和裂变电离室的距离,计算裂变电离室对单能中子源的响应参数;实验获得裂变碎片脉冲幅度谱,根据阈上裂变碎片计数率、阈下裂变碎片计数修正因子、U靶自吸收修正因子、裂变电离室对单能中子源的响应参数获得单能中子源强;根据获得的单能中子源强及相应的中子角分布获得待校准中子测量设备预放置位置处中子注量率约定真值。本申请的1MeV以上单能中子注量率的测量方法用于测量中子注量率。

技术领域

本申请涉及但不限于中子测量领域,尤其涉及一种1MeV以上单能中子注量率的测量方法。

背景技术

目前,中子探测器广泛应用于安检和航天领域。人们对宇宙中辐射的探测的方法是使用空间辐射中子探测器对宇宙中的中子射线进行探测,为了确保中子探测器的探测精度能够达到探测要求,需要使用中子参考辐射场对中子探测器进行校验。

为了使单能中子参考辐射场能够用于确定中子测量设备的注量响应,首先要准确测量中子测量设备校准位置的中子注量率,传统的测量方法是在中子束流方向或带电粒子束流方向上确定中子测量设备的注量响应的位置用相应的中子注量率标准装置测量相应位置的中子注量率,对于用带电粒子束产生单能中子的情况,还可以利用中子注量率和离核反应靶距离平方成反比的规律确定带电粒子束流方向上其他位置的中子注量率,用合适的中子注量率校准相应的中子测量设备,对于有一定大小的中子注量标准设备,只有把标准设备放置在离核反应靶较远距离的位置,图1为中子注量标注设备注量响应模型,对于中子注量标准设备01来说,才可以把待测量中子注量率的位置的中子场02看成是平行齐向场,以图1的计算模型计算出的实验室现有的U-235裂变电离室在1.2MeV、2.5MeV、5MeV、14.8MeV、19MeV的注量响应结果如表1所示:

表1

中子能量/MeV2]]>
1.22.57620E-06
2.52.67276E-06
52.29504E-06
14.84.15980E-06
194.15915E-06

中国原子能科学研究院的5SDH-2串列加速器产生的离靶1m处的1MeV以上中子注量率典型值如表2所示:

表2

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