[发明专利]一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法在审
| 申请号： | 202111344254.1 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114062978A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;颜子尧;张中锦;单婉婷;黄旭庭 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 任志艳 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于压电隧道效应的MEMS磁场传感器及测量磁场方法，磁场传感器包括衬底p‑GaN、绝缘层Al |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 压电 隧道 效应 mems 磁场 传感器 测量 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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