[发明专利]ESD仿真方法及仿真电路有效

专利信息
申请号: 202111316697.X 申请日: 2021-11-09
公开(公告)号: CN113761818B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 刘森;刘海彬;关宇轩;史林森;班桂春 申请(专利权)人: 微龛(广州)半导体有限公司
主分类号: G06F30/3308 分类号: G06F30/3308
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 施婷婷
地址: 510663 广东省广州市高新技术*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种ESD仿真方法及仿真电路,包括:1)获取ESD保护器件的工作特性曲线及击穿特性曲线,基于特性曲线设置测试激励;2)对设置有ESD保护器件的待保护电路施加模拟ESD放电脉冲进行仿真,通过仿真获取待保护电路受所述模拟ESD放电脉冲作用的输入电流、电场及ESD保护器件的泄放电流,并得到待保护电路及ESD保护器件的峰值电场;3)将待保护电路的峰值电场与待保护电路的击穿临界电场进行比较,将ESD保护器件的峰值电场与ESD保护器件的击穿临界电场进行比较,以评估ESD保护能力。本发明利用最大电场与临界电场的对比评估ESD保护能力,可极大简化ESD保护仿真,且适用于各种器件工艺,加快了各类端口的ESD保护设计与评估。
搜索关键词: esd 仿真 方法 电路
【主权项】:
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