[发明专利]制造半桥的方法、半桥、用于逆变器的功率模块及逆变器在审
| 申请号： | 202111316054.5 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN114551259A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | I·特伦茨;M·雷曼;T·博世;R·拜伦维勒 | 申请（专利权）人： | 采埃孚股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/49;H02M7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张建涛;沈同全 |
| 地址： | 德国腓*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造用于电动车辆或混合动力车辆的电驱动器的半桥(10)的方法，半桥包括基板、半导体开关元件(24)、功率端子(14，16，18)和信号端子(20)，其中，由扁平导体框架形成、优选冲压成功率端子和信号端子，其中，将半导体开关元件嵌入在模块化设计的层系统中，层系统包括接触部平面(22)和用于接触半导体开关元件的金属化部，其中，将信号端子和功率端子布置在基板的第一表面上，其中，用浇注料(12)对模块化的层系统、信号端子和功率端子进行浇注，其中，功率端子和/或信号端子的在导体框架中形成的外部区段各自从与第一表面正交的第二表面、从浇注料延伸出来，其中，外部区段分别具有与第一表面垂直的端部。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 半桥 用于 逆变器 功率 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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