[发明专利]内半导电层交联成型装置及交联成型工艺有效
申请号: | 202111310314.8 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114083726B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 夏鑫;吕殿泉;罗继宏 | 申请(专利权)人: | 瑞邦电力科技有限公司 |
主分类号: | B29C35/02 | 分类号: | B29C35/02;B29C33/02;B29C37/02;H02G1/14;H01R43/20;B29L31/34 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 杨志林 |
地址: | 519000 广东省珠海市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种内半导电层交联成型装置及交联成型工艺,第一发热模具体和/或第二发热模具体中嵌设有模体加热器,第一交联成型腔体和第二交联成型腔体适于拼合,以共同夹抱半导电屏蔽料,第一交联成型腔体设置有第一溢流胶剪切刀,第一溢流胶剪切刀适于咬合拼接第二交联成型腔体,内半导电层交联成型装置预留有溢胶空位,第一交联成型腔体和第二交联成型腔体的咬合处对应溢胶空位。第一交联成型腔体和第二交联成型腔体夹抱收型即可得到接头内屏蔽层,接头内屏蔽层与电缆内屏蔽层层过渡平滑,周侧溢胶由溢流胶剪切刀剪切,节省后期抛光整平工序,接头内屏蔽层的外周壁平整,接头内屏蔽层稳定地发挥屏蔽作用,而不易发生电场畸变,电缆接头可靠。 | ||
搜索关键词: | 导电 交联 成型 装置 工艺 | ||
【主权项】:
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