[发明专利]一种高驱动Sense-Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202111304880.8 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114242723B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 魏应强;刘国柱;赵伟;魏敬和;陈浩然;魏轶聃 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/40;G11C16/04 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 叶昕;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高驱动Sense‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法，属于微电子集成电路领域。通过浮栅电荷共享的方式实现编程/擦除管对信号传输管的开关态，实现电荷共享方式为BTBT编程和FN擦除方式；所述FLASH开关单元是制作在硅基的深N阱中，并将信号传输管与编程/擦除管的有源区有效隔离；所述FLASH开关单元的栅氧层下方信号传输管有源区存在多个绝缘沟槽，能够提供更大的电流；所述信号传输管栅氧层与编程/擦除管的隧道氧化层是同膜层，是采用低压掺N氧化工艺实现；其余均采用业界标准工艺制作完成。本发明兼容于CMOS工艺，不仅具有良好的电荷保持特性、耐久性、阈值窗口宽，而且具有抗总剂量能力强、编程效率高、驱动能力强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 sense switch pflash 开关 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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