[发明专利]一种外延工艺方法在审
| 申请号： | 202111293006.9 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114121645A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;C30B25/02;C30B25/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延工艺方法，提供半导体器件；将半导体器件装载进入外延工艺的一反应腔室内，并对反应腔室进行降温处理；在降温环境下，对反应腔室进行气体清洗工艺；将反应腔室升温，进行烘烤工艺；在半导体器件的表面上生长外延层；将反应腔室和半导体器件冷却，并将半导体器件卸载退出反应腔室。本发明在半导体器件刚进腔体时，增加一步降温步骤，对反应腔室作降温处理，后续在低温环境下对反应腔室做清洗，使得杂质元素不易钻入器件内，从而降低器件漏率，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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