[发明专利]一种CMOS图像传感器的像素阵列读出结构在审

专利信息
申请号: 202111283729.0 申请日: 2021-11-01
公开(公告)号: CN113992872A 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 朱程举;尤六一;罗杰 申请(专利权)人: 成都善思微科技有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/378;H04N5/357;H04N5/361
代理公司: 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 代理人: 陈令轩
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,包括CMOS图像传感器像素阵列和设置在所述CMOS图像传感器像素阵列上的积分器电路阵列;还包括电荷释放电路阵列,所述电荷释放电路阵列设置在远离所述积分器电路阵列的一侧,且所述电荷释放电路阵列中的电荷释放电路分别与所述CMOS图像传感器像素阵列中的列信号线电连接。本发明的目的在于提供一种CMOS图像传感器的像素阵列读出结构,通过在CMOS图像传感器像素阵列远离积分器电路阵列的一侧加入电荷释放电路阵列,使得将坏列中像素累积的电荷清除掉,从而使其不影响相邻的列。
搜索关键词: 一种 cmos 图像传感器 像素 阵列 读出 结构
【主权项】:
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