[发明专利]一种CMOS图像传感器的像素阵列读出结构在审
申请号: | 202111283729.0 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN113992872A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 朱程举;尤六一;罗杰 | 申请(专利权)人: | 成都善思微科技有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/378;H04N5/357;H04N5/361 |
代理公司: | 成都行之智信知识产权代理有限公司 51256 | 代理人: | 陈令轩 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 像素 阵列 读出 结构 | ||
1.一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,包括CMOS图像传感器像素阵列和设置在所述CMOS图像传感器像素阵列上的积分器电路阵列,其特征在于,还包括电荷释放电路阵列,所述电荷释放电路阵列设置在远离所述积分器电路阵列的一侧,且所述电荷释放电路阵列中的电荷释放电路分别与所述CMOS图像传感器像素阵列中的列信号线电连接。
2.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,所述电荷释放电路包括NMOS管、开关管以及单位增益电压缓冲放大器;
所述单位增益电压缓冲放大器的输出端与所述NMOS管的栅极和漏极连接,所述NMOS管的源极与所述开关管的漏极连接,所述开关管的源极与所述列信号线连接。
3.根据权利要求2所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,所有的所述电荷释放电路共用一个所述单位增益电压缓冲放大器。
4.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,还包括行选通电路阵列,所述行选通电路阵列中的行选通电路分别与所述CMOS图像传感器像素阵列中的每一行行选信号线电连接。
5.根据权利要求4所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,所述行选通电路包括D触发器和buffer电路,所述D触发器的输出端与所述带buffer电路的输入端连接,所述buffer电路的输出端与所述行选信号线电连接。
6.根据权利要求4所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,所述行选通电路包括D触发器和带高阻输出模式的buffer电路,所述带高阻输出模式的buffer电路的第一输入端和所述D触发器的输出端电连接,所述带高阻输出模式的buffer电路的第二输入端用于接收高阻模式控制信号,所述带高阻输出模式的buffer电路的输出端与所述行选信号线电连接。
7.根据权利要求5或6所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,所述行选通电路阵列由串联的所述行选通电路构成。
8.根据权利要求7所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,所述行选通电路阵列设置为至少2个。
9.根据权利要求7所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,当所述行选通电路阵列设置为2个时,所述行选通电路阵列设置于所述CMOS图像传感器像素阵列的两侧,且均与所述行选信号线电连接。
10.根据权利要求7所述的一种CMOS图像传感器像素阵列的读出结构,其特征在于,当所述行选通电路阵列设置为超过2个时,其中两个所述行选通电路阵列设置于所述CMOS图像传感器像素阵列的两边,余下的所述行选通电路阵列间隔设置于所述CMOS图像传感器像素阵列的中间,且所有的所述行选通电路阵列均与所述行选信号线电连接。
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