[发明专利]薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法有效
申请号: | 202111283138.3 | 申请日: | 2021-11-01 |
公开(公告)号: | CN114045468B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 程厚义;艾梅尔;李成;杜寅昌;赵巍胜;姚宇暄;许人友;汪建;王燕 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) |
主分类号: | C23C14/50 | 分类号: | C23C14/50;C23C14/54 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 张梦媚 |
地址: | 230013 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法,薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体,用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动,360度连续旋转并调整角度的样品架,用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块,用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块,以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整,对沉积条件进行优化,可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜,并针对特点的材料选择最优的沉积条件,实现薄膜沉积过程的闭环控制,获得高性能沉积薄膜。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 设备 物理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
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