[发明专利]一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构在审
| 申请号： | 202111279069.9 | 申请日： | 2021-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN114039273A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 钱广;唐杰;周奉节;孔月婵;姜文海;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/22 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 激光器 薄膜 铌酸锂光 波导 集成 结构 | ||
【主权项】：
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