[发明专利]基于卤代芳胺类的新型空穴传输材料及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202111268633.7 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN113880719A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 李战峰;郭珊珊;刘宝友;张晓晔;焦正旭;田跃;田碧凝 申请(专利权)人: 太原理工大学;宁夏中星显示材料有限公司
主分类号: C07C211/61 分类号: C07C211/61;C07C209/10;C07D285/14;H01L51/00
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 任林芳
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明属于有机光电功能材料技术领域;目前使用最多的空穴传输材料需要使用掺杂剂来提高导电性和空穴迁移率,导致使用掺杂剂使器件不稳定并且增加了成本,甲氧基会导致更高的最高占据分子轨道水平和较低的玻璃转变温度,降低开路电压和器件稳定性,本发明提供一种基于卤代芳胺类的新型空穴传输材料及其制备方法与应用,新型空穴传输材料含有卤取代芳胺基的分子结构,通过Buchwald偶联反应或Suzuki偶联反应得到新型空穴传输材料,在钙钛矿太阳能电池、有机场效应晶体管、有机电致发光器件、光催化制氢和有机光伏太阳能电池领域的应用,原材料成本低,合成方法简单方便,空穴传输材料性能较好。
搜索关键词: 基于 卤代芳胺类 新型 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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