[发明专利]硅基集成的外腔窄线宽激光器有效
| 申请号： | 202111268114.0 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114006263B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈少康;陈寅芳;徐长达;金亚;穆春元;陈伟;刘宇;李明;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14;H01S5/20;H01S5/028;H01S5/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种硅基集成的外腔窄线宽激光器，包括：硅衬底，上表面为外延生长区；增益芯片，通过异质外延或异质键合于外延生长区的一端；多模干涉波导结构，外延生长于外延生长区内，输入端与增益芯片的反馈光端面相对；反射结构，设于外延生长区的一端，与多模干涉波导结构的输出端耦合。该激光器不仅可以实现单模选择，由于多模干涉波导结构3的端面形成的外腔结构，还可以实现线宽压窄。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 外腔窄线宽 激光器 | ||
【主权项】：
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