[发明专利]硅基集成的外腔窄线宽激光器有效
| 申请号： | 202111268114.0 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114006263B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 陈少康;陈寅芳;徐长达;金亚;穆春元;陈伟;刘宇;李明;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14;H01S5/20;H01S5/028;H01S5/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 外腔窄线宽 激光器 | ||
1.一种硅基集成的外腔窄线宽激光器，其特征在于，包括：
硅衬底，上表面为外延生长区；
增益芯片，通过异质外延或异质键合于所述外延生长区的一端；
多模干涉波导结构，外延生长于所述外延生长区内，输入端与所述增益芯片的反馈光端面相对，用于对所述增益芯片产生的激光进行选模和线宽压窄；
反射结构，设于所述外延生长区上，与所述多模干涉波导结构的输出端耦合，用于反射所述激光，使所述激光经过所述多模干涉波导结构后进入所述增益芯片，被所述增益芯片放大后从出射光端面输出；
所述多模干涉波导结构由多个单模波导和多个多模波导级联构成，其中，所述多个单模波导和所述多个多模波导交替设置。
2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述多个单模波导和多个多模波导级联的头部和尾部均为单模波导。
3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述多个单模波导和所述多个多模波导呈直线型排列。
4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述多个单模波导和所述多个多模波导呈曲线型排列。
5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述增益芯片的反馈光端面镀有增透膜。
6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述增益芯片为砷化镓基半导体增益芯片、或铟磷基半导体增益芯片。
7.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述多个单模波导和所述多个多模波导均为硅基波导。
8.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述反射结构为高反膜。
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