[发明专利]一种周期栅结构的p-GaN常闭型功率器件有效
| 申请号： | 202111264534.1 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114122107B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王洪;高升;谢子敬 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 周春丽 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种周期栅结构的p‑GaN常闭型功率器件。所述器件自下而上包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层以及势垒层；势垒层上方设置有源极和漏极，源极和漏极之间设置有形成于势垒层上的周期性p‑GaN/InGaN层，栅极设置于周期性p‑GaN/InGaN层上。周期性p‑GaN/InGaN层自下至上周期分布有多层低铟组分的In |
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| 搜索关键词： | 一种 周期 结构 gan 常闭型 功率 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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