[发明专利]基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法在审
| 申请号： | 202111252976.4 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114114109A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曾中良;许明耀;陆振帮;胡庆平 | 申请（专利权）人： | 武汉纺织大学 |
| 主分类号： | G01R33/34 | 分类号： | G01R33/34 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 姚壮 |
| 地址： | 430000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法，包括以下具体操作步骤：S1：制作均匀梯度磁场，使用两块相同的磁铁(磁铁截面积及表面磁感应强度相同)相对放置，即N极与N极相对(S极与S极相对)，两磁铁之间留一等间距间隙，霍尔元件平行于磁铁放在该间隙的中轴上。本发明涉及技术领域，该基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法，基于电磁场理论，充分利用螺杆步进装置的灵活驱动作用，并由其传动磁场与传感器之间的相对位移，以达到定标和测量的目的，我们创新性的给出反亥姆霍兹线圈中轴线上均匀梯度磁场的使用范围，同时也对线圈尺寸和线圈间距做了定量分析。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 亥姆霍兹线圈 测量 微小 形变 方法 | ||
【主权项】：
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