[发明专利]一种长波长VCSEL的结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111248342.1 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN114006264B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;王纪强;刘统玉 申请(专利权)人: 山东省科学院激光研究所
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/343;H01S5/024
代理公司: 济南龙瑞知识产权代理有限公司 37272 代理人: 张俊涛
地址: 272000 山东省济宁市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及VCSEL制备技术领域,特别涉及一种长波长VCSEL的结构及其制备方法,VCSEL的热沉的底部贴合有第一接触金属,第一接触金属的底部贴合有底DBR,底DBR的底部贴合有第一ITO,第一ITO的底部贴合有介质钝化层,介质钝化层的底部贴合有N/P型层,N/P型层的底部贴合有有源区,有源区的底部贴合有P/N型层,P/N型层的底部贴合有第二ITO,第二ITO底部贴合顶DBR,顶DBR的底部贴合有第二接触金属。本发明解决了目前工艺复杂,制备困难的问题,适用于大功率的VCSEL器件的制备,长波长VCSEL的制备。
搜索关键词: 一种 波长 vcsel 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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