[发明专利]一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法及装置有效
| 申请号： | 202111248125.2 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN113985709B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 韩丹丹;韦亚一 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种定量计算等离子体超衍射光刻工艺中线边缘粗糙度的解析方法及装置，涉及半导体制造领域。方法包括：基于等离子体超衍射光刻中光源在聚焦元件开口处的场强分布数据，确定光源的理论点扩展函数；基于点映射图形确定点映射图形的多个横向点宽值；基于理论点扩展函数和多个横向点宽值，分别确定多个横向点宽值对应的实际点扩展函数；基于衰减常数和实际点扩展函数确定线图形的实际线扩展函数；基于线边缘粗糙度改变值、线图形的曝光剂量、近场光刻胶对比度和线图形的图形对数斜率关系确定等离子体超衍射光刻的线边缘粗糙度理论解析公式，本发明中所提出的线边缘粗糙度的解析方法极大地提高了表面等离子体超衍射光刻技术的实际应用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定量 计算 等离子体 衍射 光刻 工艺 中线 边缘 粗糙 解析 方法 装置 | ||
【主权项】：
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