[发明专利]稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111234757.3 申请日: 2021-10-22
公开(公告)号: CN114032517A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 王志强;马建保;林燕明;曾墩风;陶成;毕荣锋 申请(专利权)人: 芜湖映日科技股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 杨静
地址: 241000 安徽省芜湖市中国(安徽)自*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种稀土离子掺杂ITO靶材的制备方法,属于ITO靶材领域,通过粉末真空上料‑粉末粗磨‑‑粉末精磨‑粉末纳米级砂磨‑浆料配胶‑喷雾造粒‑混合过筛制得ITO靶材的粉末,再进行干压、冷等静压成型‑素坯进行车削加工‑烧结‑机加工‑绑定检测,通过添加稀土氧化物粉体,解决了高铟锡比ITO靶材致密度不高、容易开裂的问题,提高了薄膜的载流子迁移率,可以更好地应用于太阳能电池行业。
搜索关键词: 稀土 离子 掺杂 ito 制备 方法
【主权项】:
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