[发明专利]微米阵列电极结构、制备方法及其用途在审

专利信息
申请号: 202111230226.7 申请日: 2021-10-21
公开(公告)号: CN114134528A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 刘释元;张策;姚伟;王兆龙;冯德强 申请(专利权)人: 中国空间技术研究院
主分类号: C25B11/02 分类号: C25B11/02;C25B11/052;C25B11/075;C25B11/081;C25B11/089;C25B3/26
代理公司: 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 代理人: 王献茹
地址: 100081 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请涉及二氧化碳催化还原技术领域,特别涉及一种微米阵列电极结构、制备方法及其用途,微米阵列电极结构包括:基底,所述基底具有承载面;形成于所述基底的承载面的多个呈阵列分布的微米结构电极,每一个所述微米结构电极的横截面外切圆的直径为30μm‑1000μm;每一个所述微米结构电极的表面具有催化剂涂层。上述微米阵列电极结构中,基底的承载面上设有的微米结构电极,阵列分布的微米结构电极能够有效的调控微米结构电极表面的亲疏性能,具有优异的疏水性能,并且,微米结构电极的表面形成的气泡直径普遍偏小,气泡的吸附数量偏低,微米结构电极能够有效调控电极表面的气泡脱离情况,进而能够提高二氧化碳催化还原时二氧化碳的还原性能。
搜索关键词: 微米 阵列 电极 结构 制备 方法 及其 用途
【主权项】:
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