[发明专利]一种功率半导体器件的结终端结构在审
| 申请号： | 202111228971.8 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN116013953A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 刘江;高明超;孙琬茹 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件的结终端结构，包括：金属化阴极层、第一导电类型半导体区层、第一导电类型半导体漂移区层、第二导电类型半导体区层、金属化阳极层，第一导电类型半导体漂移区和所述金属化阴极分别位于第一导电类型半导体区的正面和背面，第二导电类型半导体区位于第一导电类型半导体漂移区的上部左侧；第三导电类型半导体层及其中的若干沟槽单元和第一导电类型截止环；第三导电类型半导体层位于第一导电类型半导体漂移区上部且与第二导电类型半导体区层横向对接，第一导电类型截止环位于第一导电类型半导体漂移区上部的右侧，沟槽单元的分布密度从第一导电类型半导体区层向第一导电类型截止环的纵长方向逐渐增多。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
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