[发明专利]一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111225726.1 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114107913A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈祖煌;李晋阳;汪海林;张金萍 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳） |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C30B29/22;C30B28/02;C23C14/54;H01F1/03 |
| 代理公司： | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 于标 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明首先制备得到一种新型的磁性材料为La(Cr |
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| 搜索关键词： | 一种 高熵钙钛矿 氧化物 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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