[发明专利]一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111225726.1 申请日: 2021-10-21
公开(公告)号: CN114107913A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 陈祖煌;李晋阳;汪海林;张金萍 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学(深圳)
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/08;C30B29/22;C30B28/02;C23C14/54;H01F1/03
代理公司: 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 代理人: 于标
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高熵钙钛矿 氧化物 薄膜 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括:

步骤S1,制备多晶La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3靶材:将La2O3、NiO、MnO2、Fe2O3、Co3O4和Cr2O3粉末混合,烧结后得到La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3靶材;

步骤S2,薄膜制备:采用La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3靶材,通过脉冲激光沉积的方法在衬底上进行薄膜沉积,得到高熵钙钛矿氧化物薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中,将La2O3、NiO、MnO2、Fe2O3、Co3O4和Cr2O3按照摩尔比混合均匀,通过烧结得到La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3陶瓷靶材。

3.根据权利要求1所述的一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中La2O3、NiO、MnO2、Fe2O3、Co3O4和Cr2O3的纯度为99.99%。

4.根据权利要求1所述的一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述脉冲激光沉积的参数为:温度600-650℃、激光能量密度为0.6-1.0J/cm2,氧压为50-150mTorr,脉冲频率为3-7Hz,沉积结束后在75Torr氧压下冷却至室温。

5.根据权利要求1所述的一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述衬底选自钙钛矿结构的LaAlO3、钙钛矿结构的SrTiO3、尖晶石结构的MgAl2O4或岩盐结构的MgO。

6.一种高熵钙钛矿氧化物薄膜材料,其特征在于,通过前述权利要求1-5任一项所述的制备方法获得。

7.一种新型的磁性材料,其特征在于,所述磁性材料为La(Cr0.2Mn0.2Fe0.2Co0.2Ni0.2)O3(L5BO)。

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