[发明专利]差分存储单元、多阻态存储单元及磁性存储器在审
| 申请号： | 202111196395.3 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115985362A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李州;石以诺;孟皓;冯向 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种差分存储单元和多阻态存储单元，均包括：自旋轨道矩产生层和两个磁性隧道结，两个磁性隧道结保持一定间隔地并列设置于自旋轨道矩产生层的同一侧表面，两个磁性隧道结的截面形状均为优弧弓形，且优弧弓形的弦的方向保持平行，其中每个磁性隧道结均包括自由层、势垒层和参考层，自由层靠近自旋轨道矩产生层，自由层和参考层均为垂直磁化。通过改变自旋轨道矩产生层中写电流的方向，可以分别实现差分存储和多阻态存储。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 多阻态 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江驰拓科技有限公司，未经浙江驰拓科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111196395.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
