[发明专利]一种非制冷红外探测器的制备方法及非制冷红外探测器有效
| 申请号： | 202111192830.5 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN113932926B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 | 申请（专利权）人： | 北京北方高业科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 王艳斌 |
| 地址： | 100071 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非制冷红外探测器的制备方法及非制冷红外探测器，制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构；制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层；在第一互连柱上方沉积第三金属互连层以形成梁结构；采用通孔工艺和CMP平坦化工艺制备第二互连柱，沉积第四金属互连层和第二介质层以形成吸收板。通过本发明的技术方案，解决了传统MEMS工艺非制冷红外探测器的性能低，像素规模低，良率低以及一致性差的问题，优化了非制冷红外探测器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制冷 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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