[发明专利]一种以MoS2在审

专利信息
申请号: 202111192187.6 申请日: 2021-10-13
公开(公告)号: CN113991025A 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 秦平力;肖岚;王梓逸;石畅;余雪里;马良;陈相柏 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 李艳景
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种以MoS2纳米片钝化光敏层相邻界面的钙钛矿光伏电池及其制备方法。该电池依次包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿光敏活性层、空穴传输层和金属电极;还包括界面钝化层,其中界面钝化层为MoS2纳米片;MoS2纳米片通过球磨法制备得到;界面钝化层位于电子传输层和钙钛矿光敏活性层之间,或钙钛矿光敏活性层和空穴传输层之间。本发明通过简单球磨法所得MoS2纳米片具有较大比表面积和介孔,有效地增大与钙钛矿光敏层和界面层的接触,增加载流子的迁移通道,降低载流子在界面处堆积,平衡界面层对各自载流子抽取率,减少界面复合,从而开发出效率高、寿命长、成本低、稳定性好、高效界面调控技术及其相应光伏器件。
搜索关键词: 一种 mos base sub
【主权项】:
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