[发明专利]一种氧化镍-金-氧化锌同轴纳米阵列的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202111190422.6 申请日: 2021-10-13
公开(公告)号: CN114015990A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 徐春祥;董秀秀;王茹;石增良 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/58;G01N27/26;G01N27/30;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 曹坤
地址: 211102 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米阵列的制备方法及应用。属于纳米光电功能材料领域,具体步骤:1、将预处理后的导电基底置于磁控溅射仪中,采用氧化锌靶材在高纯氧气和高纯氩气的混合气体中溅射得到氧化锌种子层;2、然后将其加入到醋酸锌和六次甲基四胺的水溶液中,水热合成制备得到氧化锌纳米线阵列;3、随后将所得产物经洗涤、干燥后进行等离子体纳米金溅射;得到金‑氧化锌纳米线阵列;4、最后将金包裹的氧化锌纳米线阵列(金‑氧化锌纳米线阵列)置于磁控溅射仪,进行氧化镍的再修饰,最终得到氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列。本发明的氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列具有形貌可控、光电协同、可重复性好等特点。
搜索关键词: 一种 氧化 氧化锌 同轴 纳米 阵列 制备 方法 应用
【主权项】:
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